在脫硫石膏粉生產(chǎn)線，脫硫石膏生產(chǎn)工藝中晶體的生長習(xí)性是指晶體在一定生長條件下所具有的結(jié)晶形貌特征。晶體的生長形貌決定與晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)和生長時(shí)的物理化學(xué)條件，因而同一種晶體在不同的生長條件下晶體的結(jié)晶形貌是不同的。晶體各個(gè)面族的相對(duì)生長速率決定了晶體的形貌特征。由于在不同生長條件下晶體各面族生長速率比發(fā)生變化，晶體形貌相應(yīng)改變。晶體習(xí)性是晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)因素與晶體生長過程中的外部環(huán)境因素相互作用的綜合結(jié)果。

至于晶體具體表現(xiàn)什么樣的晶體習(xí)性，本質(zhì)上決定于其內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排布的形式。

晶體生長過程中外界環(huán)境因素對(duì)晶體習(xí)性產(chǎn)生影響的途徑，主要有：產(chǎn)生不同的單行；組成的單行不變，但他們晶面的相對(duì)大小發(fā)生了顯著變化；同一單形中的各晶面明顯的不等發(fā)育。這是在諸如快速生長等嚴(yán)重偏離理想生長的條件下，晶體沿特定方向畸形發(fā)育所致。

有研究表明，影響二水硫酸鈣晶體生長的重要因素有：溶液的過飽和度、溫度、粒徑和外界雜質(zhì)的吸附與晶格取代。在其它條件一定的情況下，過飽和溶液中CaS04?2H20晶體的成核時(shí)間取決于溶液中初始鈣離子濃度，即取決于溶液的起始過飽和度。鈣離子濃度越大，晶體成核延遲時(shí)間越短。二水硫酸鈣晶體在過飽和溶液生長過程中，若晶體縱向粒徑較大，晶體開始生長速度一般較快。

晶體兩端迅速一般情況r，晶體兩端邊緣的生長速率大于部分生毆速率，人約十幾秒左右晶體逐漸K大，而此后晶體!L長述度卻明顯下降，并以相塒穩(wěn)定的生長速度生長。

-END-