時間：2014-05-15 10:16:12
作者：世邦機器
學者用測定半水石膏水化時漿體的導電率的方法，對石膏水化進行了研究。認為半水石膏加入水中后溶解于水，并很快達到飽和狀態(tài)。當溶液對二水石膏來說達到過飽和狀態(tài)時，就會結晶生成二水石膏。此時這個過飽和度在整個誘導期保持不變，二水石膏晶核不斷產生，半水石膏不斷溶解，生成的新相-二水石膏又不斷使已形成的晶核長大成晶體。
Cunningham、Dunham和Antes等人用光學顯微鏡和電子顯微鏡認真研究廠半水石膏水化過程，他們從研究中得出以下結果：
（1）熟石膏的凝結足一個溶解一―再結晶過程。
（2）雖然晶體尺寸大小不同，但在稀溶液中或在標準石膏漿體巾聽形成的晶體類型相同，
（3）加入促凝劑或緩凝劑可以改變半水石膏的溶解速度。
（4）沒有跡象形成膠凝相。
Schiller用數學模型的方法來研究半水石膏溶解和二水石膏結晶現象。他認為半水石膏的水化過程取決于：
（1）物體所保持的原始狀態(tài)；
（2）鈣離子和硫酸根離子的擴散；
（3）沉積在新顆粒上的物質與新顆粒增長速度之間的關系。
Magnan通過研究，石膏粉生產設備把半水石膏的水化過程描述為四個連續(xù)階段：
（1）半水石膏相溶解并形成半水石膏飽和與二水石膏過飽和的離嚴系統，形成結晶不完全或不穩(wěn)定的初始水化物即晶胚。該水化物中的含水量比化學計算值高。
（2）初始水化物在誘導期內逐漸穩(wěn)定，起到了晶核的作用。
（3）晶核生長，半水石膏顆粒上出現新的表面，產生新的離子和初始水化物，二水石膏晶體很快增長。
（4）半水石膏比率減少，并且水化速度減慢。
以上綜述了溶解一結晶理論支持者們的一些研究觀點。石膏粉生產工藝用這種理論可以對水化過程的許多現象進行解釋，已被越來越多的人所接受。
-END-
二水石膏析晶后，此時溶液的濃度降低，使新的一批半水石膏又可繼續(xù)溶解和水化，如此循環(huán)進行，直至半水石膏全部耗盡，這就是溶解――結晶理論。
堆積密度測定儀是一個支在三條支架上的銅質錐形漏斗，漏斗中部設有邊長為2mm的方孔篩。儀器還附有一個容量筒，其容積為lL，并配有―只套筒。
為了加速二水石膏的脫水及得到比較粗大的a型半水石膏晶體。建議在原始懸浮液中加入晶種(d型半水石膏結晶體)。
由于金屬烤瓷修復體的金屬，帽狀冠硬度高，在就位時，石膏代模表面易磨損，因此，在制作金屬帽狀冠的石膏代模部位，使用超硬石膏，以減少石膏代模的磨損。
石膏礦床的成因除了上述蒸發(fā)鹽沉積物成因理論外，也有人認為石膏礦床是由于海水涌入內陸盆地形成了咸水湖，咸水經蒸發(fā)而產生自然濃縮，導致鹽類沉淀形成石膏礦床，炎熱而干燥的氣候是形成和富集這種礦床的主要條件。
石膏中帶有表面水或叫吸附水，隨礦的種類、地上礦、地下礦、地區(qū)的不同，水分含量也不同，一般在3％～5％左右。
